LM7480-Q1中文资料用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器数据手册TI规格书
LM7480-Q1规格书详情
描述 Description
LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。
特性 Features
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
• 器件 HBM ESD 分类等级 2
• 3V 至 65V 输入范围
• 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
• 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
• 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
技术参数
- 制造商编号
：LM7480-Q1
- 生产厂家
：TI
- Vin (Max) (V)
：65
- Features
：Linear control
- Iq (Typ) (mA)
：0.412
- Iq (Max) (mA)
：0.495
- IGate source (Typ) (uA)
：20000
- IGate sink (Typ) (mA)
：2670
- IGate pulsed (Typ) (A)
：2.6
- Operating temperature range (C)
：-40 to 125
- VSense reverse (Typ) (mV)
：-4.5
- Design support
：EVM
- Rating
：Automotive
- Channel(s) controlled (#)
：2
- FET
：External
- VGS (Max) (V)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
WSON-12 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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TI(德州仪器) |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
Texas |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
TI/德州仪器 |
23+ |
WSON-12 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
20094 |
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TI(德州仪器) |
2022+ |
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TI(德州仪器) |
2021+ |
8000 |
原装现货，欢迎询价 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
SMD |
46220 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
BGA256 |
10000 |
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询价 |
