LM7480 3-V to 65-V, Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs

1 Features • Qualified for extended temperature applications – Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range • 3-V to 65-V input range • Reverse input protection down to –65 V • Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain and common source conf

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LM7480 3-V to 65-V, Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs

1 Features • Qualified for extended temperature applications – Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range • 3-V to 65-V input range • Reverse input protection down to –65 V • Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain and common source conf

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LM7480x-Q1 Ideal Diode Controller with Load Dump Protection

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用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 \n• 器件 HBM ESD 分类等级 2\n• 3V 至 65V 输入范围\n• 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET\n• 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)\n• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流\n• 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）\n• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装;

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