LM74610-Q1 Zero IQ Reverse Polarity Protection Smart Diode Controller

1 Features 1• Qualified for Automotive Applications • AEC-Q100 Qualified With the Following Results: – Exceeds HBM ESD Classification Level 2 – Device CDM ESD Classification Level C4B • Maximum reverse voltage of 45 V • No Positive Voltage limitation to Anode Terminal • Charge Pump Gate Dri

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Zero IQ Reverse Polarity Protection Smart Diode Controller

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0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器

LM74610-Q1 是一款控制器器件，可与 N 沟道 MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动外部 MOSFET，串联电源时可模拟理想二极管整流器。 该机制的独特优势在于不以接地为参考，因此 Iq 为零。 LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。 这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时反向电流的大小和持续时间。 此外，该器件设计选用了合适的 TVS 二极管，符合 CISPR25 5 类 EMI 规范和汽车类 ISO7637 瞬态要求。 • 符合汽车应用要求\n• 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2\n• 最低反向电压：45V \n• 适用于外部 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的电荷泵栅极驱动器\n• 低反极性泄漏电流\n• 2µs 内快速响应反极性情况\n• 可用于 OR-ing 应用\n• 选用了合适的瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，满足汽车类 ISO7637 瞬态要求;

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