High-Side OR-ing FET Controller

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High-Side OR-ing FET Controller

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5V 至 75V、400uA IQ 理想二极管控制器

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。\n\nLM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。 • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）\n• 提供功能安全 \n• 提供文档以帮助创建功能安全系统设计\n \n• 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN BIAS）\n• 100V 瞬态电压\n• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器\n• 针对电流反向 50ns 快速响应\n• 2A 峰值栅极关断电流 \n• 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间\n• 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）;

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5V 至 75V、400uA IQ 汽车类理想二极管控制器

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。\n\nLM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。 • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）\n• 提供功能安全 \n• 提供文档以帮助创建功能安全系统设计\n \n• 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN BIAS）\n• 100V 瞬态电压\n• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器\n• 针对电流反向 50ns 快速响应\n• 2A 峰值栅极关断电流 \n• 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间\n• 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）;

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6V 至 75V、400uA IQ 理想二极管控制器

The LM5050-2 High Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This OR-ing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and vo • Wide Operating Input Voltage Range: +6V to +75V \n• +100 Volt Transient Capability\n• Charge Pump Gate Driver for External N-Channel MOSFET\n• MOSFET Diagnostic Test Mode\n• Fast 50ns Response to Current Reversal\n• 2A Peak Gate Turn-off Current \n• Minimum VDS Clamp for Faster Turn-off\n• Package;

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包装：盒 功能：ORing 控制器/高压侧 类别：开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件 描述：BOARD EVAL LM5050

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Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：管件 类别：集成电路（IC） OR 控制器，理想二极管 描述：IC OR CTRLR N+1 6SOT

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包装：盒 功能：ORing 控制器/负载均分 类别：开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件 描述：BOARD EVAULATION LM5050

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