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LM5050-1-Q1

LM5050-1, LM5050-1-Q1 High-Side OR-ing FET Controller

1 Features 1• Available in Standard and AEC-Q100 Qualified Versions LM5050Q0MK-1 (up to 150°C TJ) and LM5050Q1MK-1 (up to 125°C TJ) • Functional safety capable – Documentation available to aid functional safety system design • Wide Operating Input Voltage Range, VIN: 1 V to 75 V (VBIAS req

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LM5050-1-Q1

High Side OR-ing FET Controller

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LM5050-1-Q1

High-Side OR-ing FET Controller

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LM5050-1-Q1

5V 至 75V、400uA IQ 汽车类理想二极管控制器

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作,当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。\n\nLM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源,可承受高达 100V 的瞬态电压。 • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1(高达 150°C TJ)和 LM5050Q1MK-1(高达 125°C TJ)\n• 提供功能安全 \n• 提供文档以帮助创建功能安全系统设计\n \n• 宽工作输入电压范围 VIN:1V 至 75V(VIN BIAS)\n• 100V 瞬态电压\n• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器\n• 针对电流反向 50ns 快速响应\n• 2A 峰值栅极关断电流 \n• 超小 VDS 关断电压,可缩短关断时间\n• 封装:SOT-6(薄型 SOT-23-6);

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技术参数

  • Vin (Max) (V):

    75

  • Features:

    AUX input

  • Iq (Typ) (mA):

    0.4

  • Iq (Max) (mA):

    0.79

  • IGate source (Typ) (uA):

    31

  • IGate source (Max) (uA):

    41

  • IGate sink (Typ) (mA):

    2.8

  • IGate pulsed (Typ) (A):

    2.8

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • IReverse (Typ) (uA):

  • VSense reverse (Typ) (mV):

    -28 /-41

  • Design support:

    EVM

  • Rating:

    Automotive

  • Channel(s) controlled (#):

    1

  • FET:

    External

  • VGS (Max) (V):

    14

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多LM5050-1-Q1供应商 更新时间2025-10-11 15:01:00