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LM2904S	文件：101.02 Kbytes Page：9 Pages	Single Supply Dual Operational Amplifiers 文件：101.02 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LM2904ST	文件：353.28 Kbytes Page：6 Pages	SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT Description The Universal Standard family LM358 / 324, LM2904 / 2902 monolithic ICs integrate two independent op-amps and phase compensation capacitors on a single chip and feature high-gain, low power consumption, and an operating voltage range of 3[V] to 32[V] (single power supply.) Features 文件：353.28 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
LM2904ST	文件：1.10942 Mbytes Page：28 Pages	丝印：K403；Package：MiniSO8；Low-power dual operational amplifier Description This circuit consists of two independent, high gain operational amplifiers (op amps) that have frequency compensation implemented internally. They are designed specifically for automotive and industrial control systems. The circuit operates from a single power supply over a wide ra 文件：1.10942 Mbytes 页数：28 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LM2904S-13	文件：863.54 Kbytes Page：15 Pages	DUAL AND QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：863.54 Kbytes 页数：15 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
LM2904S-13	文件：791.6 Kbytes Page：16 Pages	DUAL AND QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：791.6 Kbytes 页数：16 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
LM2904SN	文件：101.02 Kbytes Page：9 Pages	Single Supply Dual Operational Amplifiers 文件：101.02 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LM2904SNG	文件：101.02 Kbytes Page：9 Pages	Single Supply Dual Operational Amplifiers 文件：101.02 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LM2904SR	文件：974.27 Kbytes Page：18 Pages	SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers 文件：974.27 Kbytes 页数：18 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
LM2904ST	文件：387.75 Kbytes Page：22 Pages	Low power dual operational amplifier 文件：387.75 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LM2904ST	文件：974.27 Kbytes Page：18 Pages	SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers 文件：974.27 Kbytes 页数：18 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Operational Amplifier
Rail to Rail：
No
Channels：
2
VS Min (V)：
3
VS Max (V)：
32
Iq Typ (mA)：
0.25
VOS Max (mV)：
7
IO Typ (mA)：
30
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
7
Ibias Typ (pA)：
-45000
CMRR Typ (dB)：
70
Architecture：
Bipolar
Temperature Range (°C)：
-40 to 105
Package Type：
PDIP-8

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