3A, 2A, and 1A 80V Half-Bridge Gate Drivers

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具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

LM25101 高电压栅极驱动器专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。版本 A 提供高达 3A 的栅极驱动，而版本 B 和 C 分别提供 2A 和 1A 的栅极驱动。输出由 TTL 输入阈值独立控制。该器件集成了一个高压二极管，用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。 这些器件采用标准 8 引脚 SOIC、8 引脚 SO-PowerPAD、8 引脚 WSON、10 引脚 WSON 以及 8 引脚 MOSP Pow • 独立的高侧和低侧驱动器逻辑输入\n• 自举电源电压高达 100V DC\n• 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 短暂传播时间（典型值为 25ns）\n• 可以 8ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载\n• 优异的传播延迟匹配（典型值为 3ns)\n• 支持电源轨欠压锁定\n• 低功耗\n• 与 HIP2100 和 HIP2101 引脚兼容;

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LM25101A/B/C 3A, 2A, and 1A 80V Half-Bridge Gate Drivers

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