LM25101中文资料具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器数据手册TI规格书
| 厂商型号 |
LM25101 |
| 参数属性 | LM25101 封装/外壳为8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR |
| 功能描述 | 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器 |
| 封装外壳 | 8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | TI Texas Instruments |
| 中文名称 | 德州仪器 美国德州仪器公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:58:00 |
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LM25101规格书详情
描述 Description
LM25101 高电压栅极驱动器专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。版本 A 提供高达 3A 的栅极驱动，而版本 B 和 C 分别提供 2A 和 1A 的栅极驱动。输出由 TTL 输入阈值独立控制。该器件集成了一个高压二极管，用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。 这些器件采用标准 8 引脚 SOIC、8 引脚 SO-PowerPAD、8 引脚 WSON、10 引脚 WSON 以及 8 引脚 MOSP PowerPAD 封装。
特性 Features
• 独立的高侧和低侧驱动器逻辑输入
• 自举电源电压高达 100V DC
• 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 短暂传播时间（典型值为 25ns）
• 可以 8ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
• 优异的传播延迟匹配（典型值为 3ns)
• 支持电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 与 HIP2100 和 HIP2101 引脚兼容
应用 Application
由电机控制的驱动器
半桥和全桥电源转换器
同步降压转换器
双开关正向电源转换器
有源钳位正激转换器
48V服务器电源
太阳能DC-DC和DC-AC转换器
技术参数
- 制造商编号
：LM25101
- 生产厂家
：TI
- Power switch
：MOSFET
- Input VCC (Min) (V)
：9
- Input VCC (Max) (V)
：14
- Peak output current (A)
：3
- Rise time (ns)
：8
- Operating temperature range (C)
：-40 to 125
- Undervoltage lockout (Typ)
：8
- Rating
：Catalog
- Number of channels (#)
：2
- Fall time (ns)
：8
- Prop delay (ns)
：22
- Iq (uA)
：10
- Input threshold
：TTL
- Channel input logic
：TTL
- Negative voltage handling at HS pin (V)
：-1
- Features
：—
- Driver configuration
：Dual
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
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