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LLSD101B

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features • Low Forward Voltage Drop • Guard Ring Construction for Transient Protection • Fast Reverse Recovery Time • Low Reverse Capacitance • Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)

文件:141.66 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

LLSD101B

Schottky Barrier Switching Diode

Features • Guard Ring Construction for Transient Protection • Low Reverse Capacitance • Low Forward Voltage Drop and Low Reverse Recovery Time • Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (P Suffix designates Compliant. See ordering information)

文件:360.06 Kbytes 页数:2 Pages

MCC

LLSD101B

schottky barrier switching diode

Features • Low Reverse Recovery Time • Low Reverse Capacitance • Low Forward Voltage Drop • Guard Ring Construction for Transient Protection

文件:325.95 Kbytes 页数:2 Pages

CHENYI

商朗电子

LLSD101B

Schottky Barrier Switching Diode

文件:981.53 Kbytes 页数:4 Pages

MCC

LLSD101B-13

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件:62.43 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

LLSD101B-7

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件:62.43 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

LLSD101B

Small Signal Schottky Diodes

ZBMCC

美林电子

LLSD101B

小信号肖特基二极管

MCC

美微科

LLSD101B-13

Package:DO-213AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 50V 15MA MINIMELF

DIODES

美台半导体

LLSD101B-7

Package:DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 50V 15MA MINIMELF

DIODES

美台半导体

技术参数

  • VRM (V):

     50

  • IFSM (A):

     2.0

  • IF (A):

     0.015

  • VF (V):

     0.95

  • IFM (A):

     0.015

  • TRR (μs):

     0.001

  • IR (μA):

     0.2

  • @VR (V):

     50

  • Package Qty:

     Tape

  • FIT:

     48; Tj=100℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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LL-34
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更多LLSD101B供应商 更新时间2026-4-17 10:20:00