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NJU2103B	文件：1.47748 Mbytes Page：29 Pages	SystemResetIC ■FEATURES ・SuitableforreplacementfromMB3771 ・DetectionvoltageVSA=4.2V±1.0 ・AdjustabledetectionvoltageVSB=1.23V±1.0 ・PossibletodetectovervoltageVSC=1.245V±1.0 ・VSAandVSBhavehysteresischaracteristicsatresetrelease ・OperatingtemperatureTa=-40to125°C ・Lowquiescentcur	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU2103BE	文件：1.47748 Mbytes Page：29 Pages	SystemResetIC ■FEATURES ・SuitableforreplacementfromMB3771 ・DetectionvoltageVSA=4.2V±1.0 ・AdjustabledetectionvoltageVSB=1.23V±1.0 ・PossibletodetectovervoltageVSC=1.245V±1.0 ・VSAandVSBhavehysteresischaracteristicsatresetrelease ・OperatingtemperatureTa=-40to125°C ・Lowquiescentcur	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NMA-2103	文件：75.08 Kbytes Page：1 Pages	NMA2100NOISESOURCESERIES	MICRONETICS Micronetics, Inc.	MICRONETICS
NTLJS2103P	文件：147.61 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,Single,P-Channel,μCool,WDFN,2X2mm-12V,-7.7A Features •RecommendedReplacementDevice−NTLUS3A40P •WDFNPackageProvidesExposedDrainPadforExcellentThermalConduction •2x2mmFootprintSameasSC−88Package •LowestRDS(on)Solutionin2x2mmPackage •1.2V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJS2103P	文件：135.4 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJS2103PTAG	文件：147.61 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,Single,P-Channel,μCool,WDFN,2X2mm-12V,-7.7A Features •RecommendedReplacementDevice−NTLUS3A40P •WDFNPackageProvidesExposedDrainPadforExcellentThermalConduction •2x2mmFootprintSameasSC−88Package •LowestRDS(on)Solutionin2x2mmPackage •1.2V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJS2103PTAG	文件：135.4 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJS2103PTBG	文件：147.61 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,Single,P-Channel,μCool,WDFN,2X2mm-12V,-7.7A Features •RecommendedReplacementDevice−NTLUS3A40P •WDFNPackageProvidesExposedDrainPadforExcellentThermalConduction •2x2mmFootprintSameasSC−88Package •LowestRDS(on)Solutionin2x2mmPackage •1.2V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJS2103PTBG	文件：135.4 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJS2103PTBG	文件：1.2386 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •ThermallyEnhancedDFN2X2Package -SmallFootprintArea -LowOn-Resistance APPLICATIONS •LoadSwitch,PASwitch,andBatterySwitchforPortableDevices	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
LF2103NTR
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
35ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
GATE DRIVER HALF BRIDGE 0.13A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	LF2103NTR	Littelfuse/IXYS	24+	SOP-8	2669	深耕行业12年,可提供技术支持。	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	LF2103NTR	IXYS Integrated Circuits Divis	25+	8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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