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LET21004	文件：40.92 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package DESCRIPTION TheLET21004isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat26Vincommonsourcemodeatfrequenciesupto2.1GHz.LET21004boaststheexcellent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MV21004	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
SKYA21004	文件：5.9304 Mbytes Page：26 Pages	Three-ChannelLCDBiasPowerManagementICwithThree-ChannelHigh-EfficiencyWhiteLEDDriver	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司

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LET21004

文件：40.92 Kbytes

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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package

DESCRIPTION TheLET21004isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat26Vincommonsourcemodeatfrequenciesupto2.1GHz.LET21004boaststheexcellent

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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GaAsVaractorDiodesAbruptJunction

Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

SKYA21004

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