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LET20030C	文件：37.44 Kbytes Page：5 Pages	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology DESCRIPTION TheLET20030CisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto2.0GHz.TheLET20030Cisdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsource	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
LET20030C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：M243 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 80V 2GHZ M243	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
20030	文件：129.46 Kbytes Page：1 Pages	WihaQualityTools	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
20030BQ	文件：150.96 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
20030HS	文件：189.91 Kbytes Page：1 Pages	2,00mmPITCHCONNECTOR	YEONHO YEONHO ELECTRONICS
20030WS	文件：189.19 Kbytes Page：1 Pages	2.00mmPITCHCONNECTOR	YEONHO YEONHO ELECTRONICS
AL20030	文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages	INDUSTRIALMICROWAVEGENERATORS2450MHZ	MKS MKS Instruments.
CSD20030	文件：224.57 Kbytes Page：4 Pages	ZERORECOVERYRECTIFIER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CSD20030	文件：239.32 Kbytes Page：4 Pages	ZERORECOVERYRECTIFIER	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
CSD20030D	文件：239.32 Kbytes Page：4 Pages	ZERORECOVERYRECTIFIER	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
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GSRU20030	文件：107.16 Kbytes Page：2 Pages	NPN300,350,400V20AMPSWITCHING NPN300,350,400V20AMPSWITCHINGtf—100nsTYPICAL •HighSpeed •Rugged •CostEffective •Off-linePowerSupplies •SwitchingAmplifiers •Inverters/Converters •MotorSpeedControlCircuits •SwitchingRegulators •Solenoid&RelayDrivers	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
GSRU20030	文件：15.23747 Mbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor HIGHPOWERNPN TheGSRUofNPNsilicontransistorsisdesignedforhighspeedswitchingsystems. Thisuniqueseriesfeaturesmanufacturingprocesswhichprovidessurfacestabilizationforhighvoltageoperationandenhanceslongtermreliability. •HighSpeed •Rugged •CostEffective •Off-	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
IFD20030	文件：114.91 Kbytes Page：3 Pages	Ceramicbandpassfilter	ITFIntegrated Technology Future Integrated Technology Future
LET20030S	文件：43.01 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnologyinPlasticPackage DESCRIPTION TheLET20030SisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat26Vincommonsourcemodeatfrequenciesupto2GHz.LET20030Sboaststheexcellent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
LLCC20030C	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC
LLCC20030S	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC
MBR20030	文件：121.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited
MBR20030	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
MBR20030CT	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A 200AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited

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产品属性

产品编号：
LET20030C
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2GHz
增益：
13.9dB
额定电流（安培）：
9A
功率 - 输出：
45W
封装/外壳：
M243
供应商器件封装：
M243
描述：
FET RF 80V 2GHZ M243

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