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LET20045C	文件：632.4 Kbytes Page：9 Pages	Excellent thermal stability	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
LET20045C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：M243 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET N CH 80V 12A M243	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
20045	文件：347.05 Kbytes Page：6 Pages	OtherACandDCMetersAvailable	HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers 霍尼韦尔霍尼韦尔国际公司
20045HS	文件：196.8 Kbytes Page：1 Pages	2.00mmPITCHCONNECTOR	YEONHO YEONHO ELECTRONICS
20045WS	文件：190.71 Kbytes Page：1 Pages	2.00mmPITCHCONNECTOR	YEONHO YEONHO ELECTRONICS
CPT20045	文件：148.85 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●CommonCathodeCenterTap ●200Amperes/35to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CPT20045	文件：122.59 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
FST20045	文件：144.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A Features HighSurgeCapability TypesUpto45VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited
FST20045	文件：143.89 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●200Amperes/35to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
FST20045	文件：120.66 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
FSTI20045	文件：119.48 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A	TEL TRANSYS Electronics Limited
MBR20045	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
MBR20045	文件：121.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited
MBR20045	文件：118.17 Kbytes Page：2 Pages	180AmpSchottkyRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MBR20045CT	文件：123.49 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MBR20045CT	文件：414.36 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
MBR20045CT	文件：47.9 Kbytes Page：1 Pages	200AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts 200AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MBR20045CT	文件：446.88 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
MBR20045CT	文件：712.33 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
MBR20045CT	文件：461.52 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.

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产品属性

产品编号：
LET20045C
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2GHz
增益：
13.3dB
额定电流（安培）：
12A
功率 - 输出：
54W
封装/外壳：
M243
供应商器件封装：
M243
描述：
RF MOSFET N CH 80V 12A M243

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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