LET20030C中文资料30W 28V 2GHz LDMOS TRANSISTOR数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
LET20030C |
| 参数属性 | LET20030C 封装/外壳为M243；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 80V 2GHZ M243 |
| 功能描述 | 30W 28V 2GHz LDMOS TRANSISTOR |
| 封装外壳 | M243 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 9:14:00 |
| 人工找货 | LET20030C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LET20030C规格书详情
简介
LET20030C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的LET20030C晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
LET20030C
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2GHz
- 增益：
13.9dB
- 额定电流（安培）：
9A
- 功率 - 输出：
45W
- 封装/外壳：
M243
- 供应商器件封装：
M243
- 描述：
FET RF 80V 2GHZ M243
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
13+PBF |
SMD |
150 |
优势 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST |
24+ |
PowerSO-10RF |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
M243 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
PowerSO-10RF |
10000 |
全新原装现货库存 |
询价 | ||
ST |
23+ |
M243 |
7000 |
询价 | |||
ST |
23+ |
M243 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
PowerSO-10RF |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
PowerSO-10RF |
1800 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 |
