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LC331	文件：376.49 Kbytes Page：14 Pages	INFRARED LAMP LED 文件：376.49 Kbytes 页数：14 Pages	SEOUL 首尔半导体	SEOUL
LC331	文件：360.46 Kbytes Page：13 Pages	CYAN LAMP LED 文件：360.46 Kbytes 页数：13 Pages	SEOUL 首尔半导体	SEOUL
LC331	文件：392.15 Kbytes Page：14 Pages	BLUE OVAL LAMP LED Description Lamp LEDs are effective in hot thermal and humid condition. This high brightness and weather-resistant packaging design makes these Lamp LEDs ideal for Outdoor applications such as traffic signals, variable message signs and backlighting for transparent sign panels. • Non-standoff le 文件：392.15 Kbytes 页数：14 Pages	SEOUL 首尔半导体	SEOUL
LC331632M-10	文件：181.55 Kbytes Page：9 Pages	512K (32768 words X 16 bits) Pseudo-SRAM 512 K (32768 words x 16 bit) Pseudo-SRAM 文件：181.55 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
LC331632M-12	文件：181.55 Kbytes Page：9 Pages	512K (32768 words X 16 bits) Pseudo-SRAM 512 K (32768 words x 16 bit) Pseudo-SRAM 文件：181.55 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
LC331632M-70	文件：181.55 Kbytes Page：9 Pages	512K (32768 words X 16 bits) Pseudo-SRAM 512 K (32768 words x 16 bit) Pseudo-SRAM 文件：181.55 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
LC331632M-80	文件：181.55 Kbytes Page：9 Pages	512K (32768 words X 16 bits) Pseudo-SRAM 512 K (32768 words x 16 bit) Pseudo-SRAM 文件：181.55 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
LC3324S8	文件：3.26925 Mbytes Page：6 Pages	丝印：33T8；Package：DFN2010S8；Transient Voltage Suppressors for ESD Protection Features 70 Watts Peak Pulse Power per Line (tp=8/20μs) Protects Four 10/100/1000 Ethernet Lines Low clamping voltage Working voltages : 3.3V RoHS Compliant IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ηs) IEC61000-4-5 (LIGHTING) 8.5A (8/20μs) IEC61000-4-2(ESD):±30kV (air discharge) ±30kV (contact dischar 文件：3.26925 Mbytes 页数：6 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
LC338128M	文件：194.51 Kbytes Page：10 Pages	1MEG (131072 WORDS X 8BITS) PSEUDO-SRAM 文件：194.51 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
LC338128P	文件：194.51 Kbytes Page：10 Pages	1MEG (131072 WORDS X 8BITS) PSEUDO-SRAM 文件：194.51 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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产品属性

产品编号：
LC33
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
33V
电压 - 击穿（最小值）：
36.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
58V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
25.4A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
100pF @ 1MHz
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-13
供应商器件封装：
DO-202AA（DO-13）
描述：
TVS DIODE 33VWM 58VC DO202AA

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