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LBAT30LT1G	文件：75.53 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE ●Features ExtremelyLowForwardVoltage0.3V(max)@IF=10mA S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable. ●Construction Siliconepitaxialplanar ●Wedeclarethatthematerial	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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BCW30LT1	文件：451.61 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BCW30LT1	文件：345.26 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCW30LT1	文件：290.71 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BCW30LT1	文件：245.87 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCW30LT1D	文件：245.87 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCW30LT1G	文件：245.87 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BFR30LT1	文件：59.4 Kbytes Page：4 Pages	JFETAmplifiers(N-Channel) JFETAmplifiers N−Channel Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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S-LBAT30LT1G	文件：75.53 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE ●Features ExtremelyLowForwardVoltage0.3V(max)@IF=10mA S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable. ●Construction Siliconepitaxialplanar ●Wedeclarethatthematerial	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

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