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SBCW30LT1G	文件：255.8 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：255.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCW30LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCW30LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S-LBAT30LT1G	文件：75.53 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE ● Features Extremely Low Forward Voltage 0.3 V (max) @ IF = 10 mA S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. ● Construction Silicon epitaxial planar ● We declare that the material 文件：75.53 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC

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