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SBCX19LT1G	文件：105 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Fr 文件：105 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCX19LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCX19LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available 文件：52.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：61.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Diodes SWITCHING DIODE FEATURES Power dissipation PD: 225 mW (Tamb=25℃) Forward Current IF: 200 m A Reverse Voltage VR: 120 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：61.07 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL

产品属性

产品编号：
SBCX19LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
620mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBCX19LT1G供应商更新时间2026-2-7 14:00:00

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