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SBCW33LT1G	文件：226.43 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BCW33LT1	文件：262.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCW33LT1	文件：265.07 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BCW33LT1	文件：261.63 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon)? GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCW33LT1	文件：371.11 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BCW33LT1D	文件：262.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
SBCW33LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

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