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SBCW33LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCW33LT1G	文件：226.43 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor 文件：226.43 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCW33LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW33LT1	文件：262.78 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：262.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW33LT1	文件：265.07 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：265.07 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BCW33LT1	文件：261.63 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor(NPN Silicon)? General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：261.63 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SBCW33LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

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