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KTC3879	文件：431.97 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, HF VHF BAND AMPLIFIER) HIGH FREQUENCY APPLICATION. HF, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES • High Power Gain : Gpe = 29dB(Typ.)(f=10.7MHz) 文件：431.97 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTC3879	文件：222.06 Kbytes Page：4 Pages	丝印：RO；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES • High power gain. APPLICATIONS • High frequency application. • HF,VHF band amplifier appilication. 文件：222.06 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
KTC3879	文件：485.9 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High Power Gain APPLICATIONS • High Frequency Application • HF,VHF Band Amplifier Application 文件：485.9 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
KTC3879	文件：893.99 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Power Gain APPLICATIONS ● High Frequency Application ● HF,VHF Band Amplifier Application 文件：893.99 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
KTC3879	文件：59.22 Kbytes Page：1 Pages	0.05A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High Power Gain APPLICATIONS • High Frequency Application • HF, VHF Band Amplifier Application 文件：59.22 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
KTC3879	文件：201.97 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • High power gain 文件：201.97 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
KTC3879	文件：1.36259 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Power Gain APPLICATIONS High Frequency Application HF,VHF Band Amplifier Application 文件：1.36259 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
KTC3879	文件：133.61 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • High power gain 文件：133.61 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
KTC3879	文件：1.09332 Mbytes Page：2 Pages	丝印：RR/RO/RY；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：1.09332 Mbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
KTC3879	文件：190.22 Kbytes Page：4 Pages	丝印：RO；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：190.22 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

技术参数

PCM(W)：
0.15
IC(A)：
0.05
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
4
hFEMin：
40
hFEMax：
240
hFE@VCE(V)：
12
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.4
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.01
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.001
Package：
SOT-23

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