EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. • Complementary to KTC2016.

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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • High Breakdown Voltage : VCEO=-100V. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. : V CE(sat)=-2.0V(Max.) • Complementary to KTC2018.

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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

GENERAL PURPOSE APPLICATION.FEATURES\nLow Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A.\nComplementary to KTC2016. Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A.\nComplementary to KTC2016.;

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