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MMBT5401	文件：109.53 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5401	文件：83.61 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSILICON HighVoltageTransistorPNPSilicon	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT5401	文件：171.61 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT5401	文件：47.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNType-MMBT5551 •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRe	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT5401	文件：67.39 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5401	文件：106.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistorsSi-Epi-PlanarUniversaltransistorenfurdieOberflahenmontage Powerdissipation–Verlustleistung250mW PlasticcaseSOT-23 Weightapprox.–Gewichtca.0.01g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT5401	文件：183.52 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT5551). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5401	文件：275.04 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMBT5401	文件：169.56 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5551 ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
MMBT5401	文件：378.97 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5551 ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

详细参数

型号：
KST5401MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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