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LMH5401FFKEM	文件：1.43056 Mbytes Page：51 Pages	6.5-GHz,Low-Noise,Low-Power,Gain-ConfigurableFullyDifferentialAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMH5401FFKSLASHEM	文件：1.57347 Mbytes Page：54 Pages	6.5-GHz,Low-Noise,Low-Power,Gain-ConfigurableFullyDifferentialAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH5401FFKSLASHEM	文件：1.43056 Mbytes Page：51 Pages	6.5-GHz,Low-Noise,Low-Power,Gain-ConfigurableFullyDifferentialAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH5401IRMSR	文件：3.65796 Mbytes Page：56 Pages	8-GHz,Low-Noise,Low-Power,Fully-DifferentialAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMH5401IRMST	文件：3.65796 Mbytes Page：56 Pages	8-GHz,Low-Noise,Low-Power,Fully-DifferentialAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMH5401-SP	文件：1.57347 Mbytes Page：54 Pages	6.5-GHz,Low-Noise,Low-Power,Gain-ConfigurableFullyDifferentialAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMH5401-SP	文件：1.82124 Mbytes Page：33 Pages	LMH5485-SPRadiationHardenedAssured(RHA)NegativeRailInput,Rail-to-RailOutput,Precision,850MHzFullyDifferentialAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
KST5401MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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