KSH45H11中文资料KSH45H11: PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
KSH45H11 |
| 参数属性 | KSH45H11 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 8A DPAK |
| 功能描述 | KSH45H11: PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 16:50:00 |
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KSH45H11规格书详情
描述 Description
通用电源和开关，如D-PAK封装贴片元件中的输出或驱动级。
特性 Features
引线专为贴片应用而形成（无后缀）
直引线（I-PAK，后缀\"-I\"）
电气上类似于流行的KSE44H
开关速度快
低集电极-发射极饱和电压
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSH45H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KSH45H11晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
KSH45H11TF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
- 频率 - 跃迁：
40MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
TRANS PNP 80V 8A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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