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KSH44H11I数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

KSH44H11I

参数属性

KSH44H11I 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 8A IPAK

功能描述

KSH44H11I: NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 80V 8A IPAK

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 14:20:00

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KSH44H11I规格书详情

描述 Description

设计用于通用电源和开关,如应用中的输出或驱动器级。

特性 Features

引线专为表面贴装应用而形成(无后缀)
直引线(I-PAK,\"-I\"后缀)
电气上类似于流行的 KSE44H
快速开关速度
低集电极-发射极饱和电压

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSH44H11I属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSH44H11I晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSH44H11I

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 8A

  • IC Cont. (A)

    :8

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 8A

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 4A

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 0.5A

  • PTM Max (W)

    :20

  • Package Type

    :IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+
TO251
1709
询价
ON/安森美
22+
TO251
14100
原装正品
询价
FAIRCHILD
20+
TO-251
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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FAIRCHILD/仙童
22+
TO-251
6000
十年配单,只做原装
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ONSEMI/安森美
24+
TO251
25200
只做原装,欢迎询价,量大价优
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