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KSH44H11中文资料KSH44H11: NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

KSH44H11

参数属性

KSH44H11 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK

功能描述

KSH44H11: NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 80V 8A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:50:00

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KSH44H11规格书详情

描述 Description

设计用于通用电源和开关,如应用中的输出或驱动器级。

特性 Features

引线专为表面贴装应用而形成(无后缀)
直引线(I-PAK,\"-I\"后缀)
电气上类似于流行的 KSE44H
快速开关速度
低集电极-发射极饱和电压

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSH44H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSH44H11晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    KSH44H11TF

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 8A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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