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KSH41C中文资料KSH41C: NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

KSH41C

参数属性

KSH41C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 6A DPAK

功能描述

KSH41C: NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 100V 6A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-25 20:00:00

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KSH41C规格书详情

描述 Description

KSH41C

特性 Features

用于表面贴装应用的引脚排列(无后缀)
直引脚(I-PAK,“-I”后缀)
电气特性类似于流行的 TIP41 和 TIP41C
通用放大器和低速开关应用
用于表面贴装的 D-PAK

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSH41C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的KSH41C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSH41C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 6A

  • IC Cont. (A)

    :6

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :Condition: IC = 4A

  • hFE Min

    :Condition: IC = 3A

  • hFE Max

    :Condition: IC = 3A

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 500mA

  • PTM Max (W)

    :20

  • Package Type

    :DPAK-3

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