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MJD44H11	文件：262.95 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD44H11	文件：132.35 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistorsSILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：217.1 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD44H11	文件：241.83 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:MJD45H11 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Ele	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD44H11	文件：342.76 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A ·FastSwitchingSpeeds ·ComplementtoTypeMJD45H11 ·DPAKforSurfaceMountApplications APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplificationand switchingsuchasoutputordriverstagesinappl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD44H11A	文件：242.13 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:MJD45H11A 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •El	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD44H11G	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11G	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
KSH44H11TM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK

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