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MJD44H11	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：302.13 Kbytes Page：2 Pages	Designedforgeneralpurposepowerandswitching	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MJD44H11	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES80VOLTS20WATTS ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications ...forgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJD44H11	文件：36.29 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposePowerandSwitchingSuchasOutputorDriverStagesinApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposePowerandSwitchingSuchasOutputorDriverStagesinApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE44H •FastSwitchingSpeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD44H11	文件：64.379 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPNPTRANSISTORS MJD44H11T4-AMJD44H11-->NPN MJD45H11T4-AMJD45H11-->PNP Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Thedevicesarequalifiedforautomotiveapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD44H11	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •Stra	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：152.94 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPNPTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD44H11	文件：46.83 Kbytes Page：2 Pages	ComplementaryPowerTransistors Features LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves FastSwitchingSpeeds ComplementaryPairsSimplifiesDesigns Pb-FreePackagesareAvailable	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MJD44H11	文件：263.67 Kbytes Page：7 Pages	GateDriver Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX

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产品属性

产品编号：
KSH44H11TM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK

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