MJD44H11分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	MJD44H11
参数属性	MJD44H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 8A IPAK
功能描述	SILICON POWER TRANSISTORS TRANS NPN 80V 8A IPAK
封装外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
文件大小	192.88 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-29 23:07:00
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MJD44H11规格书详情

MJD44H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJD44H11晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

Features

• Pb−Free Packages are Available

• Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves

(No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount

(“T4” Suffix)

• Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series

• Low Collector Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes

• Fast Switching Speeds

• Complementary Pairs Simplifies Designs

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

产品属性

产品编号：
MJD44H11-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
85MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN 80V 8A IPAK

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