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KSH29	文件：50.37 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP29 and TIP29C 文件：50.37 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSH29	文件：55.85 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications 文件：55.85 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSH2955	文件：49.56 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ -I “ Suffix) • Electrically Similar to Popular KSE2955T • DC Current Gain Specified to 10A • High Current Gain - 文件：49.56 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSH2955	文件：335.78 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High DC current gain • Lead formed for surface mount applications(NO suffix) • Straight lead(IPAK,“ －I” suffix) • DPAK for surface mount applications • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Gen 文件：335.78 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH2955	文件：277.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.1V(Max) @IC= -4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH2955	文件：297.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.1V(Max) @IC= -4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：297.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH2955-251	文件：297.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.1V(Max) @IC= -4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：297.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH2955-252	文件：277.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.1V(Max) @IC= -4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH29C	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.7V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：295.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH29C	文件：276.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.7V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：276.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	KSH29	FAIRCHILD	24+	TO-252	3000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	KSH29	FAIRC	12+	TO-251(IPAK)	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
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深圳庞田科技有限公司	KSH29	FAIRCHIL	2023+环保现货	TO-252	18000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
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