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KSD261中文资料NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

KSD261

参数属性

KSD261 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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KSD261规格书详情

特性 Features

•KSA643的补充器件
•集电极损耗: PC = 500mW
•后缀“-C”表示中心集电极(1. 发射极 2. 集电极 3. 基极)低频功率放大器

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSD261属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSD261晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSD261

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 0.5A

  • IC Cont. (A)

    :0.5

  • VCEO Min (V)

    :20

  • VCBO (V)

    :40

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 0.1A

  • hFE Max

    :Condition: IC = 0.1A

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :0.5

  • Package Type

    :TO-92-3 LF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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