KSD261中文资料NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
KSD261 |
参数属性 | KSD261 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3 |
功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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KSD261规格书详情
特性 Features
•KSA643的补充器件
•集电极损耗: PC = 500mW
•后缀“-C”表示中心集电极(1. 发射极 2. 集电极 3. 基极)低频功率放大器
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSD261属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSD261晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSD261
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
: Active
- Description
: NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 0.5A
- IC Cont. (A)
:0.5
- VCEO Min (V)
:20
- VCBO (V)
:40
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:Condition: IC = 0.1A
- hFE Max
:Condition: IC = 0.1A
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:0.5
- Package Type
:TO-92-3 LF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
10000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO92 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
3762 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
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TO-92 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
SAMGSUNG |
6000 |
面议 |
19 |
TO-92 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
9000 |
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询价 | ||
06+ |
原厂原装 |
2051 |
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询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-92 |
5500 |
询价 | |||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
21327 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 |