KSD1692中文资料NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C)数据手册Samsung规格书
| 厂商型号 |
KSD1692 |
| 参数属性 | KSD1692 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3 |
| 功能描述 | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C) |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | Samsung Samsung semiconductor |
| 中文名称 | 三星 三星半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 11:10:00 |
| 人工找货 | KSD1692价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
KSD1692YS
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 1.5mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
4000 @ 1.5A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-126 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
CJ/长电 |
24+ |
TO-126 |
50000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
KEC |
25+23+ |
TO-92 |
29918 |
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询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
28000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 |
