| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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TO-92 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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HGFTO-92 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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HGFTO-92 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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HGFTO-92 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FSCTO-92 |
4000 |
03+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-92 |
150 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORN/A |
69971 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD此货绝对好价格 |
30000 |
23+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
1600 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO92 |
60000 |
2122+ |
全新原装正品现货,假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FSC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
79971 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
29850 |
23+24 |
原装正品优势渠道价格合理.可开13%增值税发票 |
KSD227采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSD227图片
KSD227-GTA中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD227制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSD227GBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227GTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227GTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227YBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227YTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD227YTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
0.3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-31
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
.3
- wtest：
0
