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KRA109	文件：51.34 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES • With Built-in Bias Resistors • Simplify Circuit Design • Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 文件：51.34 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KRA109	文件：383 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：383 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KRA109	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor with Built-in Bias Resistor •With Built-in Bias Resistors\n•Simplify Circuit Design\n•Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process;	KEC 开益禧	KEC
KRA109M	文件：360.59 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES • With Built-in Bias Resistors • Simplify Circuit Design • Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 文件：360.59 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KRA109S	文件：357.93 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES • With Built-in Bias Resistors. • Simplify Circuit Design. • Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 文件：357.93 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KRA109S	文件：94.82 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：94.82 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KRA109S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor with Built-in Bias Resistor • With Built-in Bias Resistors.\n• Simplify Circuit Design.\n• Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.;	KEC 开益禧	KEC

晶体管资料

型号：
KRA109M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AN1L4L,DTA144WS,RN2009,UN411E,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
50
htest：
200000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Polarity：
PNP
VO(V)：
-50
IO(A)：
-0.1
PD(W)：
0.2
R1(Typ)(㏀)：
47
R2(Typ)(㏀)：
22
AEC-Q：
N

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