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KRA109S	文件：357.93 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES • With Built-in Bias Resistors. • Simplify Circuit Design. • Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 文件：357.93 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KRA109S	文件：94.82 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：94.82 Kbytes 页数：4 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KRA109S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor with Built-in Bias Resistor • With Built-in Bias Resistors.\n• Simplify Circuit Design.\n• Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.;	KEC 开益禧	KEC
LM109	文件：252.69 Kbytes Page：8 Pages	5-Volt Regulator 文件：252.69 Kbytes 页数：8 Pages	NSC 国半	NSC
LM109KSTEEL	文件：252.69 Kbytes Page：8 Pages	5-Volt Regulator 文件：252.69 Kbytes 页数：8 Pages	NSC 国半	NSC
SR109	文件：214.51 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(1.0A,70-100V) Schottky Barrier Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overly contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and 文件：214.51 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

晶体管资料

型号：
KRA109S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
DTA144WK,FN1L4L,RN2409,UN211E,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
200000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Polarity：
PNP
VO(V)：
-50
IO(A)：
-0.1
PD(W)：
0.2
R1(Typ)(㏀)：
47
R2(Typ)(㏀)：
22
AEC-Q：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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