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KGF65A6H

Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

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Sanken

三垦

KGF65A6H

Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

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三垦

KGF65A6H

IGBT(内置)

KGF65A6H是650V Field Stop型Trench型IGBT。独特的垂直沟道构造减小了寄生容量。高速开关、可以实现开关损耗的降低。IGBT的低损耗有助于系统的高效率。 ・低饱和电压・高速开关・FRD内置・RoHS对应;

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三垦

KGF65A6L

VCE = 650 V, IC = 60 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

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三垦

KGF65A6L

VCE = 650 V, IC = 60 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

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三垦

MGF65A6H

Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

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三垦

技术参数

  • 二极管内置:

    YES

  • VCE:

    650V

  • IC(Tc=100℃):

    60A

  • PD:

    405W

  • VCE(sat)(typ):

    1.9V

  • VF(typ):

    1.8V

  • trr(typ):

    50ns

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更多KGF65A6H供应商 更新时间2025-12-12 14:16:00