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MGF65A6H	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT(FRD内置) MGF65A6H是650V Field Stop型Trench型IGBT。独特的垂直沟道构造减小了寄生容量。高速开关、可以实现开关损耗的降低。IGBT的低损耗有助于系统的高效率。・低饱和电压・高速开关・FRD内置・RoHS对应;	Sanken 三垦	Sanken
MGF65A6H	文件：645.49 Kbytes Page：14 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：645.49 Kbytes 页数：14 Pages	Sanken 三垦	Sanken
MGF65A6L	文件：675.68 Kbytes Page：14 Pages	VCE = 650 V, IC = 60 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：675.68 Kbytes 页数：14 Pages	Sanken 三垦	Sanken
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技术参数

二极管内置：
YES
VCE：
650V
IC(Tc=100℃)：
60A
PD：
405W
VCE(sat)(typ)：
1.9V
VF(typ)：
1.8V
trr(typ)：
50ns

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更多MGF65A6H供应商更新时间2025-12-12 11:01:00

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