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KGF65A4L	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT(FRD内置); ・低饱和电压\n・高速开关\n・内置FRD\n・符合RoHS指令; KGF65A4L，是650V Field Stop型的垂直沟道工艺的IGBT。\n采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。\nIGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。\n	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
KGF65A4L	文件：796.41 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
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技术参数

二极管内置：
YES
VCE：
650V
IC(Tc=100℃)：
40A
PD：
288W
VCE(sat)(typ)：
1.6V
VF(typ)：
1.7V
trr(typ)：
60ns

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KGF65A4L供应商更新时间2025-7-29 16:40:00

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