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MGF65A4H

IGBT(内置FRD); ・低饱和电压・高速开关・FRD内置・RoHS对应;

MGF65A4H是650V Field Stop型Trench型IGBT。独特的垂直沟道构造减小了寄生容量。高速开关、可以实现开关损耗的降低。IGBT的低损耗有助于系统的高效率。

SankenSanken electric

三垦三垦电气株式会社

MGF65A4H

Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

SankenSanken electric

三垦三垦电气株式会社

MGF65A4H

Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

SankenSanken electric

三垦三垦电气株式会社

MGF65A4L

TrenchFieldStopIGBTswithFastRecoveryDiode

SankenSanken electric

三垦三垦电气株式会社

MGFS402405

科索
NA

科索

技术参数

  • 二极管内置:

    YES

  • VCE:

    650V

  • IC(Tc=100℃):

    40A

  • PD:

    288W

  • VCE(sat)(typ):

    1.9V

  • VF(typ):

    1.8V

  • trr(typ):

    50ns

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更多MGF65A4H供应商 更新时间2025-7-30 14:32:00