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KDV257E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

VCO FOR UHF/VHF BAND.FEATURES\n● Low Series Resistance : r=0.50ή (Max.) ● Low Series Resistance : r=0.50ή (Max.);

KEC

KDV257E

VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND)

文件:63.24 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

L-257

Common Mode Inductors

文件:67.44 Kbytes 页数:2 Pages

RHOMBUS-IND

LF257

WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS

DESCRIPTION These circuits are monolithic J-FET input operational amplifiers incorporating well matched, high voltage J-FET on the same chip with standard bipolar transistors. This amplifiers feature low input bias and offset currents, low input offset voltage and input offset voltage drift,coup

文件:250.11 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LF257

JFET Input Operational Amplifiers

文件:1.07929 Mbytes 页数:23 Pages

NSC

国半

详细参数

  • 型号:

    KDV257E

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SOD-323
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NA
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KEC
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SOT-323
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更多KDV257E供应商 更新时间2025-12-12 17:00:00