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KBU2510-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bridge Rectifiers	Comchip 典琦	Comchip
KBU2510-G	文件：86.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Bridge Rectifiers 文件：86.77 Kbytes 页数：3 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
KBU2510-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SIP，KBU；包装：托盘类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.6A KBU	COMCHIP 典琦	COMCHIP
KTB2510	文件：300.05 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON) HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON APPLICATION. FEATURES • Complementary to KTD1510 • Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. 文件：300.05 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KTB2510	文件：345.61 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：345.61 Kbytes 页数：3 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KTB2510	文件：153.1 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.5V(Max) @IC= -7A • High DC Current Gain : hFE= 5000(Min) @ IC= -7A, VCE= -4V • Complement to Type KTD1510 APPLICATIONS • High power amplifier applicati 文件：153.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多KBU2510-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00