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KTB2510	文件：300.05 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON) HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON APPLICATION. FEATURES • Complementary to KTD1510 • Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage. 文件：300.05 Kbytes 页数：3 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTB2510	文件：153.1 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.5V(Max) @IC= -7A • High DC Current Gain : hFE= 5000(Min) @ IC= -7A, VCE= -4V • Complement to Type KTD1510 APPLICATIONS • High power amplifier applicati 文件：153.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTB2510	文件：345.61 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：345.61 Kbytes 页数：3 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTB2510	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington transistor, TO-3P(N), -150V, -10A • Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage.;	KEC 开益禧	KEC
KTB2510_08	文件：345.61 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：345.61 Kbytes 页数：3 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTB2510_15	文件：748 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：748 Kbytes 页数：3 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

晶体管资料

型号：
KTB2510
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1560,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β>5000
图片代号：
B-70
vtest：
160
htest：
999900
atest：
10
wtest：
100

技术参数

AEC-Q：
N
Package：
TO-3P(N)
Polarity：
PNP_PNP
VCEO[V]：
-150
IC[A]：
-10
PC[W]：
100
hFE_Min：
5000
VCE(SAT)_MAX[V]：
-2.5

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