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KTB2510

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-150V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max)@IC=-7A •HighDCCurrentGain :hFE=5000(Min)@IC=-7A,VCE=-4V •ComplementtoTypeKTD1510 APPLICATIONS •Highpoweramplifierapplicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

KTB2510

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON)

HIGHPOWERAMPLIFIER DARLINGTONAPPLICATION. FEATURES •ComplementarytoKTD1510 •Recommendedfor60WAudioAmplifierOutputStage.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTB2510

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTB2510_08

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTB2510_15

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

LNR2510AA

SMDPowerInductors

LINKCOMLinkCom Manufacturing Co., Ltd.

联宝电子联宝电子股份有限公司

LT2510

TheRM024isthefirstnewmoduleinLaird?셲rebrandedRAMP(RangeAmplifiedMultiPoint)lineofmodules.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

LWTN-2510

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

LWTN-2510/Q

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

LWTN-2510SLASHQ

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    KTB2510

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SB1560,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

    β>5000

  • 图片代号:

    B-70

  • vtest:

    160

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    100

详细参数

  • 型号:

    KTB2510

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON)

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KEC
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更多KTB2510供应商 更新时间2025-5-22 8:22:00