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KSR2005	文件：37.13 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingApplication SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ) •ComplementtoKSR1005	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSR2005	文件：65.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •SwitchingCircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit •BuiltinbiasResistor(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ) •ComplementtoKSR1005	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KTD2005	文件：48.21 Kbytes Page：2 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTS2005	文件：46.7 Kbytes Page：2 Pages	LiquidCrystalDisplayBacklightDriveApplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LF2005-S	文件：84.95 Kbytes Page：2 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
LF2005-S	文件：70.76 Kbytes Page：2 Pages	CurrentTransducerLF2005-S	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
LM2005	文件：205.68 Kbytes Page：8 Pages	LM200520WattAutomotivePowerAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM2005	文件：2.26303 Mbytes Page：32 Pages	LM2005107-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith8-VUVLOandIntegratedBootstrapDiode 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •Integratedbootstrapdiode •8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •107-VabsolutemaximumvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrent	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM2005DR	文件：2.26303 Mbytes Page：32 Pages	LM2005107-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith8-VUVLOandIntegratedBootstrapDiode 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •Integratedbootstrapdiode •8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •107-VabsolutemaximumvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrent	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM2005DSGR	文件：2.26303 Mbytes Page：32 Pages	LM2005107-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith8-VUVLOandIntegratedBootstrapDiode 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •Integratedbootstrapdiode •8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •107-VabsolutemaximumvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrent	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
KBP2005G-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器
包装：
散装
二极管类型：
Single Phase
技术：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
4-SIP，KBP
供应商器件封装：
KBP
描述：
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KBP2005G-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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