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TK9A60D

丝印:K9A60D;Package:SC-67;TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.67 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

文件:197.19 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

详细参数

  • 型号:

    K9A60D

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多K9A60D供应商 更新时间2025-9-18 19:05:00