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TK9A60D	文件：197.19 Kbytes Page：6 Pages	Marking：K9A60D；Package：SC-67；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.67Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK9A60D

文件：197.19 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：K9A60D；Package：SC-67；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.67Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TK9A60D
功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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