TK9A60D中文资料Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)数据手册Toshiba规格书
TK9A60D规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:马来西亚
特性 Features
Drain current ID 9 A
Power Dissipation PD 45 W
Drain-Source voltage VDSS 600 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 制造商编号
:TK9A60D
- 生产厂家
:Toshiba
- Polarity
:N-ch
- VDSS(V)
:600
- VGSS(V)
:+/-30
- ID(A)
:9.0
- PD(W)
:45
- Ciss(pF)
:1200
- Qg(nC)
:24
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
:0.83
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:N
- Package name(Toshiba)
:TO-220SIS
- Generation
:π-MOSⅦ
- Width×Length×Height(mm)
:10.0 x 15.0 x 4.5
- Package Size(mm^2)
:150.00
- Drive voltage type
:10V Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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