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TK9A60D中文资料东芝数据手册PDF规格书

TK9A60D
厂商型号

TK9A60D

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

丝印标识

K9A60D

封装外壳

SC-67

文件大小

197.19 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 13:01:00

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TK9A60D规格书详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.67 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V)

• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    TK9A60D

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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