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TK6A80E	文件：275.42 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K6A80E；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 Ω (typ.) (2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.6 mA) 文件：275.42 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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