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K6A80E	文件：275.42 Kbytes Page：9 Pages	型号：TK6A80E；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.35Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.6mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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K6A80E

文件：275.42 Kbytes

Page：9 Pages

型号：TK6A80E；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.35Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.6mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多K6A80E供应商更新时间2025-7-29 16:10:00

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