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K5A80E

型号:TK5A80E;Package:TO-220SIS;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.9 Ω (typ.) (2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode : Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

文件:393.59 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

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